大氣等離子清洗機(jī)化學(xué)氣相沉積金剛石膜實(shí)驗(yàn)形核研討：
        使用該工藝制取的金剛石膜是1種有著大氣等離子清洗機(jī)化學(xué)氣相積累能力的工藝。由于薄膜金鋼石在超硬維護(hù)涂層、光窗口、熱沉信息、微電子等方面都有著重要意義，因而，當(dāng)人類掌握了金鋼石薄膜的制取工藝，尤其是單晶金鋼石薄膜的制取工藝后，依靠信息的前史就會由硅材料年代迅速進(jìn)入金鋼石年代。可是，有關(guān)金剛石薄膜的機(jī)理還不非常清晰，尤其是突變性外延性單晶金鋼石膜，這一難點(diǎn)在于：低溫大氣等離子清洗機(jī)處于熱不平衡狀態(tài)，所用反應(yīng)氣體也是多原子分子，反應(yīng)體系復(fù)雜，缺少基礎(chǔ)資料支持。可是，經(jīng)過20多年的理論和實(shí)驗(yàn)研究，人們不僅開發(fā)了多種方法來制取金鋼石薄膜，而且通過對實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析和總結(jié)，對影響金鋼石薄膜生長的因素也有了一些了解。對于多晶金鋼石膜的生長，成核是關(guān)鍵，而影響成核的因素很多，包括等離子體條件、基質(zhì)信息、溫度等。

       使用大氣等離子清洗機(jī)化學(xué)氣相沉積金鋼石膜，首要要了解金鋼石的成核過程，通常將其分為兩個(gè)階段：含碳量官能團(tuán)抵達(dá)基材表層，然后分散到基材內(nèi)部；第二階段是抵達(dá)基材表層的碳原子在基材表層上以缺陷、金鋼石子晶等為中心的成核、生長；因而，決定鉆石形核的要素包括：
1.基材信息：由于形核取決于基材表層碳的飽和度和抵達(dá)核心的臨界濃度，因而，基材信息的碳分散系數(shù)對形核有著重要影響。分散性系數(shù)越大，就越不易達(dá)到成核所需的臨界濃度，鐵、鎳、鈦等金屬基材直接在這類信息上進(jìn)行成核是非常困難的；而對于較低碳分散性系數(shù)的信息，如鎢、硅等，鉆石可以快速成核。
2.表層磨削：通常金鋼石的形核都能通過金鋼石粉末對表層磨削而推進(jìn)。使用SiC,c-BN,Al2O3等信息進(jìn)行的碾磨也能促進(jìn)形核的形成。磨削能促進(jìn)形核形成的機(jī)理主要有兩點(diǎn)：一是經(jīng)過磨削，金剛石微粉的碎屑留在基材表層，起到晶種作用；二是磨削能在基材表層產(chǎn)生許多微小的缺陷，這些缺陷是自發(fā)形核的有利方向。碾磨信息的格點(diǎn)常數(shù)越接近金鋼石，增強(qiáng)形核的效果就越好，因而，通常的碾磨信息都是用高溫高壓法制取的金剛石微粉。
3.大氣等離子清洗機(jī)基本參數(shù)：在金鋼石形核早期，由于碳向基材的分散，在基材表層形成了界面層，因而研討指出了等離子體基本參數(shù)對界面層也有重要影響，例如，當(dāng)硅基材表層沉積金鋼石膜時(shí)，甲烷濃度對SiC界面層的形成有直接影響。
4.偏壓增強(qiáng)形核：在大氣等離子清洗機(jī)化學(xué)氣相沉積中，基材通常都是加負(fù)偏壓，也就是說，基材的電位與等離子體的低電位有關(guān)。負(fù)偏壓的作用是使基底表層離子濃度增加。偏壓太高時(shí)，由于過多離子對基材外層和前驅(qū)核的濺射，形成了捺形核，因而在偏壓增強(qiáng)形核時(shí)，偏壓的大小更合適。