plasam清潔設(shè)備的使用始于二十世紀初。隨著高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，其運用越來越廣泛。目前，它在許多高新技術(shù)領(lǐng)域處于關(guān)鍵技術(shù)的地位。plasam清洗設(shè)備對工業(yè)經(jīng)濟和人類文明的干擾最大，是電子信息產(chǎn)業(yè)，尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的首選。plasam清洗設(shè)備已運用于制造各種電子元件。可以肯定的是，沒有plasam清洗設(shè)備技術(shù)，就沒有今天如此發(fā)達的電子、信息和通信行業(yè)。接下來，分析等離子清洗在ITO領(lǐng)域的運用特點。  

       銦錫氧化物(ITO)是1種重要的透明半導(dǎo)體材料，它一方面有著比較穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，還有著良好的透光性和導(dǎo)電性，因此在光電工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。ITO在沉積過程中形成一個高度簡單的n型半導(dǎo)體。在Sn摻雜的情況下，所得到的費米能級Er位于導(dǎo)帶底EC以上，載流子濃度高，電阻率低。此外，ITO有著較寬的光學(xué)禁帶，因而可見光和近紅外光的透過率較高。ITO薄膜的上述特性使其在光電器件中得到了廣泛的應(yīng)用，如光伏電池、電致發(fā)光、液晶顯示、傳感器和激光。
       ITO知道ITO是1種非化學(xué)計量化合物，沉積條件、后處理工藝和清洗方法會明顯干擾其表面層性能。其中，表面形貌及化學(xué)成分分析干擾了ITO膜與有機層界面特性，從而影響了器件的光電性能。因此，在制造設(shè)備之前，商用ITO導(dǎo)電玻璃通常需要用適當(dāng)?shù)姆椒ㄌ幚鞩TO膜表面層。改善了器件的表面層電性能和表面形貌，改善了器件的性能。迄今為止，ITO表面層改性的方法可分為干法和濕法兩種。在這些方法中，干法處理一般采用各種電離氣體等離子體來清洗ITO表面，去除其表面層污染，改善表面形態(tài)；濕法處理是通過有機溶劑在ITO表面層間結(jié)合新的活性基團來達到改性表面層的目的。
       ITO陽極通過氧plasam清洗設(shè)備進行表面層改性。從處理前后ITO膜化學(xué)成分分析、晶體結(jié)構(gòu)、透光率和方塊電阻的變化可以看出，未經(jīng)處理的ITO表面層含有碳相關(guān)殘留污染物；plasam清洗設(shè)備后，峰值強度明顯降低，說明等離子體處理可以有效去除ITO表面層的有機污染物。plasam清洗設(shè)備一方面降低了ITO表面層的碳濃度，而且提高了ITO表面層的氧濃度。從而改善ITO表面層的化學(xué)成分分析，這對提高ITO的功能和設(shè)備性能非常重要。而且等離子體表面層改性有利于提高有機太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率和設(shè)備的光伏性能，對提高有機光伏電池的短路電流、填充因子和能量轉(zhuǎn)換效率起著重要作用。