plasma設(shè)備crf的應(yīng)用領(lǐng)域和機理：
       隨著我國經(jīng)濟快速發(fā)展，清潔技術(shù)不斷發(fā)展和創(chuàng)新，從傳統(tǒng)的手工清潔到有機溶劑清潔、高壓水射流清洗和超聲波清洗。隨著科學技術(shù)的快速發(fā)展，作為本世紀初plasma設(shè)備表面處理技術(shù)的出現(xiàn)，清潔技術(shù)已逐漸應(yīng)用于汽車制造涂料預處理、液晶玻璃表面清潔、電路板印刷、電鍍、油污替代化學處理等領(lǐng)域。

       plasma設(shè)備清洗技術(shù)在應(yīng)用過程中具有清洗效果徹底、處理表面穩(wěn)定、清潔困難部位有效清潔等特點。plasma設(shè)備的工作原理主要依靠等離子體活性顆粒的“激活”來去除物體表面的污漬。
在反應(yīng)機制方面，plasma設(shè)備的等離子體清洗通常包括以下過程：無機氣體被刺激為等離子體狀態(tài)；固體表面吸附氣相物理；吸附基團與固體表面分子反應(yīng)產(chǎn)生產(chǎn)物分子；產(chǎn)物分子分析形成氣相；反應(yīng)殘留物脫離表面。
      材料表面產(chǎn)生的plasma設(shè)備反應(yīng)主要有2種：一種是等離子體的物理反應(yīng)，另一種是自由基的化學反應(yīng)。
       plasma設(shè)備和材料表面的物理反應(yīng)主要是利用離子作為純物理沖擊，原子或附著在材料表面的離子，因為平均自由基的低壓，能量積累，所以在物理沖擊中，離子能量越高，越容易產(chǎn)生沖擊，所以如果物理反應(yīng)，必須控制低壓反應(yīng)，使清潔效果更好。