半導(dǎo)體硅晶圓在進(jìn)行封裝工藝前會(huì)用到真空等離子設(shè)備？
       半導(dǎo)體真空等離子設(shè)備技術(shù)是干法清洗的方式之一。現(xiàn)在微電子工藝的發(fā)展，plasma清洗的優(yōu)勢(shì)用的也是相當(dāng)廣泛。在半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工序，晶圓芯片表面會(huì)有很多的環(huán)境污染雜質(zhì)，如顆粒、金屬離子、有機(jī)化合物和殘余磨料顆粒。為了確保集成電路IC集成度和設(shè)備性能必須在不破壞芯片和其他材料表面特性和電特性的前提下清洗和除去芯片表面的有害環(huán)境污染雜質(zhì)。否則會(huì)對(duì)芯片性能產(chǎn)生致命的影響和缺陷，降低產(chǎn)品合格率，限制設(shè)備的進(jìn)一步發(fā)展。

      目前，設(shè)備生產(chǎn)中幾乎每一道工序都有清洗步驟，其目的是除去芯片表面的污垢和雜質(zhì)。目前廣泛使用的物理化學(xué)清洗方法大致可分為濕法清洗和干法清洗，特別是干法清洗發(fā)展迅速，半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)比較明顯，在半導(dǎo)體設(shè)備和光電子元器件包裝領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用。
       半導(dǎo)體在半導(dǎo)體包裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用取決于工藝參數(shù)的優(yōu)化，包括工藝壓力、等離子刺激頻率和功率、時(shí)間和工藝氣體類(lèi)型、反應(yīng)室和電極的配置以及待清洗工件的位置。
       在半導(dǎo)體后生產(chǎn)工序，由于指紋、焊劑、焊料、劃痕、環(huán)境污染、灰塵、環(huán)氧樹(shù)脂殘余、自熱氧化、有機(jī)化合物等，在設(shè)備和材料表面產(chǎn)生各類(lèi)環(huán)境污染，顯然損害包裝生產(chǎn)和產(chǎn)品品質(zhì)，使用半導(dǎo)體清洗技術(shù)，易于除去生產(chǎn)工序形成的分子環(huán)境污染，顯著提高包裝的可制造性、穩(wěn)定性和合格率。